三星推出3nm GAA工艺制造的芯片
根据韩媒Thelec报道，据半导体行业6月28日消息，三星电子计划最早在本周内投入采用GAA工艺的3nm产品试生产。
GAA是利用四面的新一代晶体管结构，与之前以电流流动的通道为三面的FinFET结构不同。与FinFET结构相比，具有更精细的电流调节能力和更高的功率效率，被认为是实现超微半导体线幅必不可少的技术。
据悉，3nm GAA工艺的首家客户是中国比特币挖矿用半导体（ASIC）Fabless厂商PanSemi。据了解，与三星Foundry的最大客户高通已经达成了协议，随时可以将利用3nm工艺的芯片委托给三星生产。
三星电子在此前设立了将3nm GAA工艺在今年上半年全球首次量产应用的目标。上一季度业绩公布后的电话会议中，也重申了这一立场。此次试生产将使三星电子的“3nm上半年量产”的承诺得以兑现。不过，据了解，此次生产并非一般意义上的大规模量产，而是更接近于产品测试的试生产。
业内人士认为，仅凭三星电子全球首次生产GAA 3nm工艺，就颇有意义。此前，三星电子一直被认为因3nm工艺相关IP(知识产权)不足、良品率不佳等原因，导致3nm工艺开发不顺利。最近，也有观察将推迟3nm工艺量产的日程表。对此，三星电子正面反驳称：“3nm量产日程如期顺利进行，上半年将开始量产。
Intel推出4nm工艺制造的矿卡
Intel Arc锐炫独立显卡的进度确实令人捉急，性能和产品也才刚刚入门，不过同样是在新成立的AGX图形与计算事业部之下，Intel的“矿卡”却进展神速。
Intel执行副总裁、AGX事业部总经理Raja Koduri近日宣布，Blockscale ASIC已经在第二季度内出货，比原定的第三季度大大提前。
首批客户包括Argo Blockchain、Block Inc.、Hive Blockchain、GRIID，都是比特币挖矿巨头。
如今用显卡挖矿已经非常不经济，但是专用矿机依然很有市场，Intel Blockscale ASIC就是这样的产品，LGA封装，尺寸仅有7.5 x 7毫米。
它内置SHA-256硬件加速单元，比特币挖矿算力最高580GH/s，功耗4.8-22.7W，换算下来能效最高26J/TH，号称是主流显卡的1000多倍。
英特尔在 4 月份的一篇报道中称，该公司了解到在不放弃去中心化属性的情况下快速扩展的弹性能力，且行业对运行工作量证明（PoW）共识工具的区块链计算需求正在上升。
非官方说法称，它采用先进的Intel 4nm工艺制造，功耗仅为2.5W。